什么是Memory Repair

Repair的意义

Memory占芯片大块的面积，如果出现坏的单元，直接算废片那也太浪费了。
因此现在芯片为了追求良率，会在最开始设计的时候就加入repair的功能。
本质就是增加冗余逻辑，以便在出现问题的时候可以用来替换掉坏的部分，就是一种面积换良率的方案。

Repair的形式

常见的有Row repair、Column repair
直观理解，就是整行、整列用redundancy逻辑替换掉。

Repair的类型

通常分为Soft repair和Hard repair。
此处引用：Tessent Memory Repair的介绍

hard reapir：memory的修复信息存储在fuse里面，启动时修复信息加载到要修复的memory中

soft repair：修复信息必须每次启动时，重新加载或者重新计算修复信息，如果修复信息存储在外部，可以使用BISR chain，或者重新执行redundancy analysi以及BIRA-BISR data transfer加载修复信息，使用soft repair会增加启动时间以及电路控制的复杂性，但优点是节省efuse的使用

MBIST、MBIRA和MBISR

Memory BIST(Built-in Self-Test)

是一种DFX技术，说白了就是在芯片中专门设计一段逻辑，用来检测Memory。
通常会进行如下测试：

• March算法：遍历所有地址（如March C-检测 stuck-at/transition faults）
• Checkerboard测试：交替写入0/1检测相邻单元干扰
• 地址解码测试：验证地址线完整性

Memory BIRA(Built-in Redundancy-Analysis)

就是一种冗余资源分析的机制，分析哪些资源可以修复发现的故障。

Memory BISR(Built-In Self-Repair)

就是指上面讲到的自修复机制，通过预留冗余资源以实现修复。

Repair的流程

1. 当然是先自检，即走MBIST流程，获取故障信息。可以是上电自检，也可以是周期性自检。
2. 然后开始分析，BIRA来评估评估冗余资源余量以及修复方案。
3. 分析完得到修复配置，可以通过efuse(electronic FUSE)来烧写。